Компании Intel и Micron объявили о начале массового производства многоуровневой флеш-памяти с соблюдением 34-нанометровой технологии. Емкость ячейки 34-нанометровой флэш-памяти составляет 32 гигабита. Об этом сообщается в пресс-релизе Micron.
Флэш-память с соблюдением 34-нанометрового техпроцесса будет выпускаться на совместном предприятии IM Flash Technologies. Площадь чипов составит 172 квадратных миллиметра. Они будут штамповаться на 300-миллиметровых подложках.
Данная флэш-память предназначена для установки в портативные устройства, например, фотоаппараты, плееры и видеокамеры. Также она может использоваться для создания SSD-накопителей. При этом цена последних окажется ниже, чем у выпускаемых в настоящее время аналогов.
Intel и Micron рассчитывают, что к концу текущего года более половины модулей флэш-памяти на заводе IM Flash Technologies будет выпускаться по 34-нанометровой технологии. В начале 2009 года планируется начать производство одноуровневой флэш-памяти с соблюдением 34-нанометрового техпроцесса.