Компания Samsung разработала первую в мире микросхему оперативной памяти DDR3 емкостью четыре гигабита. Она выполнена с соблюдением 50-нанометровой технологии и позволит увеличить объем модуля оперативной памяти до 32 гигабайт. Об этом сообщается в пресс-релизе компании.
Для работы четырехгигабитного чипа памяти DDR3 необходимо напряжение в 1,35 вольта. Это на 20 процентов меньше, чем требуется для работы выпускаемых в настоящее время чипов памяти DDR3.
Энергопотребление 16-гигабайтного модуля DDR3 на базе четырехгигабитных микросхем на 40 процентов меньше энергопотребления аналогичного модуля, созданного на основе двухгигабитных чипов.
Представители Samsung подчеркивают, что четырехгигабитные чипы памяти DDR3 могут использоваться в 16-гигабайтных серверных модулях оперативной памяти RDIMM. Кроме того, они могут стать основой восьмигигабайтных модулей памяти для рабочих станций, настольных ПК и ноутбуков.
В сентябре 2008 года Samsung анонсировал двухгигабитные чипы оперативной памяти, выполненные по 50-нанометровой технологии. В настоящее время линейка 50-нанометровых чипов оперативной памяти DDR3 компании Samsung включает микросхемы объемом один, два и четыре гигабита.
В гигабитах (Gb) измеряется емкость микросхем, из которых состоит модуль памяти. Объем последнего измеряется в гигабайтах (GB). Один гигабайт соответствует восьми гигабитам.