Институт передовых технологий компании Samsung (SAIT) совместно с учеными университета Сонгюнгван разработали простой и дешевый способ получения графеновых пластин больших площадей, сообщает Phys.org. Ожидается, что он может привести к всплеску использования графеновых волокон в электронной промышленности, например, для создания графеновых микросхем и мобильной техники с тонкими и гибкими мониторами.
Ученые из Samsung предложили использовать буферный слой из водорода с вкраплениями германия между слоем графена на клейкой ленте и кремниевой подложкой. Германий позволил управлять ориентацией графеновых пластин и сшивать их в единый слой, а водород ─ легко снимать слой графена с кремниевой подложки.
Обычный способ получения графенового листа заключается в отшелушивании слоя графена с поверхности графита с использованием специальной липкой ленты. Полученный слой на ленте затем осаждают на подложке из окисленного кремния. Данный способ не позволяет получать большие листы графена из-за возникающих механических повреждений, в том числе и при попытке склеивания нескольких листов графена.
Графен представляет собой двумерный кристаллический объект (лист) с гексагональной решеткой, в узлах которого находятся атомы углерода. Фактически это слой графита толщиной в один атом углерода (радиус атома углерода составляет 91 пикометр). Предполагается, что графеновые кристаллы придут на смену кремниевым, поскольку уже при размерах, меньших десяти нанометров, кремний теряет свои кристаллические свойства. Кроме того, химические связи в графене обеспечивают ему уникальные свойства пластичности, упругости, высоких теплопроводности и прозрачности вместе с высокой прочностью.